发明名称 用于生产多晶硅的方法
摘要 本发明提供了用于生产多晶硅的方法,包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体,将多晶硅沉积在细丝上,其中,基于氢,含硅组分的摩尔饱和度为至少25%;b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置,i)其中,将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中,ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中;c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流;以及d)在吸附单元的再生期间,借助于解吸和利用吹洗气体吹洗,获得未冷凝组分的第二流,第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。
申请公布号 CN102862987A 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201210232310.7 申请日期 2012.07.05
申请人 瓦克化学股份公司 发明人 沃尔特·哈克尔;芭芭拉·米勒;罗伯特·林
分类号 C01B33/035(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I;B01D53/04(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 李丙林;张英
主权项 一种用于在沉积反应器中借助于包含含硅组分和氢的反应气体将多晶硅沉积在细丝上的方法,其中,基于所述氢,所述含硅组分的摩尔饱和度为至少25%。
地址 德国慕尼黑