| 发明名称 | 一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置 | ||
| 摘要 | 一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其包括炉体及掺杂补偿单元，该炉体包括上炉体与下炉体，该掺杂补偿单元设置于上炉体上，并包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件。其中，承载件连接于驱动件上，驱动件设置于上炉体上。该在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置可将制备的90％的晶体硅硅锭的电阻率控制在1.0～3.0Ω·cm的范围内，有利于提高硅料的利用率，从而降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN202658271U | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201220042458.X | 申请日期 | 2012.02.09 |
| 申请人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 发明人 | 武鹏;胡亚兰;郑玉芹;徐岩 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，包括：炉体，其包括上炉体与下炉体，掺杂补偿单元，设置于所述上炉体上，所述掺杂补偿单元包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件，所述承载件连接于所述驱动件上，所述驱动件设置于所述上炉体。 | ||
| 地址 | 221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||