| 摘要 |
<p>본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 사용되는 광산발생제로서, 설포늄 염 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 설포늄 염은 하기 화학식 1로 표시된다. [화학식 1]상기 화학식 1에서 상기 A는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소이고, 상기 B는 하이드록시기 또는 수소이며, 상기 T는 유기 짝이온이다. 본 발명에 따른 광산발생제로서 설포늄 염은 음이온에 지환족 고리를 도입함으로써 산의 확산 속도를 조절하고, ArF 광원의 투과시 고 투과성을 나타낼 수 있다. 또한 지환족 고리에 하이드록실기를 도입함으로써 광산발생제의 이머젼 용액에 대한 반발에 의한 레지스트 내의 광산발생제의 쏠림 현상을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
