| 摘要 |
<p>본 발명은 벌크 단자에 공급되는 벌크 전압에 따라 문턱전압이 가변되는 트랜지스터가 구비된 셀을 다수 개 포함하는 셀 영역을 구비하고, 상기 셀 영역이 복수개의 메모리 뱅크로 구분된 반도체 메모리 장치로서, 제어신호에 따라 상기 벌크 전압의 레벨을 가변시켜 상기 복수개의 메모리 뱅크 각각에 대해 독립적으로 상기 벌크 전압을 공급하는 복수개의 벌크 전압 발생부, 및 상기 복수개의 메모리 뱅크 중 활성화된 메모리 뱅크에 상응되는 벌크 전압 발생부의 벌크 전압의 레벨이 가변되도록 상기 제어신호를 출력하는 제어부를 구비한다.</p> |
