| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einubstrat, dessen Dicke auf 300 μm oder weniger verringert worden ist, so erwärmt wird, dass die Temperatur an einer Position tiefer als 1 μm von der Rückseite des Si-Halbleitersubstrats in einem Temperaturbereich von 950 bis 1.412°C (einschließlich) liegt, ohne dass das Silizium, (Si) bei einem Verfahren zum Laserhärten schmilzt. Im Einzelnen wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung beschrieben, wobei durch Einbringen einer Verunreinigung von der Vorderseite eines Halbleitersubstrats eine Halbleiterregion gebildet wird, das Substrat mit einer elektrostatischen Spannvorrichtung auf einem Trägersubstrat fixiert wird und sodann die Verunreinigung durch Erwärmen der Vorderseite des Substrats durch Bestrahlen mit einem Laser mit einer langen Wellenlänge von 3 μm oder mehr aktiviert wird, während das gesamte Substrat auf 250°C oder mehr erwärmt wird. |
