发明名称 |
PHOTOVOLTAIKZELLE MIT EINEM ÜBERGANG |
摘要 |
Ein Verfahren zum Ausbilden einer Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet Ausbilden einer Dotierstoffschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats; Diffundieren der Dotierstoffschicht in das Halbleitersubstrat, um eine dotierte Schicht des Halbleitersubstrats auszubilden; Ausbilden einer Metallschicht über der dotierten Schicht, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet wird, dass ein Bruch in dem Halbleitersubstrat verursacht wird; Entfernen einer Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat an dem Bruch; und Ausbilden der Photovoltaikzelle mit einem Übergang mithilfe der Halbleiterschicht. Eine Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet eine dotierte Schicht, die einen Dotierstoff umfasst, der in ein Halbleitersubstrat diffundiert ist; eine strukturierte, leitende Schicht, die auf der dotierten Schicht ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die das Halbleitersubstrat umfasst, das sich auf der dotierten Schicht auf einer Oberfläche der dotierten Schicht gegenüber der strukturierten, leitenden Schicht befindet; und eine ohmsche Kontaktschicht, die auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.
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申请公布号 |
DE112011100102(T5) |
申请公布日期 |
2013.01.03 |
申请号 |
DE201111100102T |
申请日期 |
2011.02.16 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
BEDELL, STEPHEN W:;FOGEL, KEITH E.;SOSA CORTES, NORMA E.;SADANA, DEVENDRA;SHAHRJERDI, DAVOOD;WACASER, BRENT A. |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0735;H01L31/074 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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