Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

In einem Transistor, der eine Oxidhalbleiterlage enthält, wird eine Metalloxidlage, die eine Funktion zum Verhindern einer Elektrisierung besitzt und die eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode bedeckt, in Kontakt mit der Oxidhalbleiterlage ausgebildet und daraufhin eine Wärmebehandlung ausgeführt. Durch die Wärmebehandlung werden Störstellen wie etwa Wasserstoff, Feuchtigkeit, Hydroxylgruppen oder Hydrid absichtlich aus der Oxidhalbleiterlage entfernt, wodurch die Oxidhalbleiterlage hoch gereinigt wird. Durch Bereitstellen der Metalloxidlage kann die Erzeugung eines parasitären Kanals auf der Rückkanalseite der Oxidhalbleiterlage in dem Transistor verhindert werden.