发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Grundplatte (120) mit einer Hauptoberfläche, die mit einem isolierenden Substrat (102, 102B) verbunden ist, auf der ein Halbleiterchip (110) und dergleichen angebracht sind, und ein Spritzpressharz (140), das die eine Hauptoberfläche der Grundplatte (120), des isolierenden Substrats, des Halbleiterchips (110) und dergleichen bedeckt und die andere Hauptoberfläche der Grundplatte (120) freilässt. Der lineare Ausdehnungskoeffizient der Grundplatte (120) ist kleiner als der von Kupfer und der lineare Ausdehnungskoeffizient des Spritzpressharzes (140) beträgt höchstens 16 ppm/°C. Das Spritzpressharz (140) weist ausgehöhlte Formen (142) auf, um gegenüberliegende Mitten der kurzen Seite bzw. deren Umgebung der Grundplatte (120) freizulegen. Die Grundplatte (120) weist in Abschnitten, die durch die ausgehöhlten Formen (142) des Spritzpressharzes (140) freiliegen, Befestigungslöcher (122) auf. Mit dieser Struktur kann eine Halbleitervorrichtung geschaffen werden, bei der Mängel wie ein Verbiegung, ein Riss und dergleichen verhindert werden können und eine geeignete Anbringung und leichte Montage usw. erreicht werden können.
申请公布号 DE102012206596(A1) 申请公布日期 2013.01.03
申请号 DE201210206596 申请日期 2012.04.20
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 UEDA, TETSUYA;YAMAGUCHI, YOSHIHIRO
分类号 H01L23/31;H01L21/56;H01L23/14;H01L23/34;H01L23/498;H01L25/07 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人
主权项
地址