发明名称 Schaltungseinheit, Vorspannungsschaltung mit Schaltungseinheit und Differenzverstärkerschaltung mit erster und zweiter Schaltungseinheit
摘要 Eine Schaltungseinheit (CU) umfasst einen Heteroübergangs-Bipolartransistor und einen pseudomorphen Hochelektronenmobilitätstransistor mit langem Gate. Entweder ein Sourceanschluss (S) oder ein Drainanschluss (D) des pseudomorphen Hochelektronenmobilitätstransistors mit langem Gate ist elektrisch entweder mit einem Kollektor (C) oder einem Emitter (E) des Heteroübergangs-Bipolartransistors gekoppelt.
申请公布号 DE112010005352(T5) 申请公布日期 2013.01.03
申请号 DE201011005352T 申请日期 2010.03.05
申请人 EPCOS AG 发明人 BALM, BART;VAN DEN OEVER, LEON C. M.;BOUWMAN, JEROEN
分类号 H03F3/193 主分类号 H03F3/193
代理机构 代理人
主权项
地址