发明名称 |
Schaltungseinheit, Vorspannungsschaltung mit Schaltungseinheit und Differenzverstärkerschaltung mit erster und zweiter Schaltungseinheit |
摘要 |
Eine Schaltungseinheit (CU) umfasst einen Heteroübergangs-Bipolartransistor und einen pseudomorphen Hochelektronenmobilitätstransistor mit langem Gate. Entweder ein Sourceanschluss (S) oder ein Drainanschluss (D) des pseudomorphen Hochelektronenmobilitätstransistors mit langem Gate ist elektrisch entweder mit einem Kollektor (C) oder einem Emitter (E) des Heteroübergangs-Bipolartransistors gekoppelt.
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申请公布号 |
DE112010005352(T5) |
申请公布日期 |
2013.01.03 |
申请号 |
DE201011005352T |
申请日期 |
2010.03.05 |
申请人 |
EPCOS AG |
发明人 |
BALM, BART;VAN DEN OEVER, LEON C. M.;BOUWMAN, JEROEN |
分类号 |
H03F3/193 |
主分类号 |
H03F3/193 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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