Trockenätzgas für Halbleiterverfahren

摘要

Trockenätzgas für Halbleiterverfahren, umfassend – C5F8 in einer Menge von 99,995 Vol.-% oder mehr, – Stickstoff in einer Menge von 13 Vol.-ppm oder weniger, – Sauerstoff in einer Menge von 3 Vol.-ppm oder weniger, – Wasser in einer Menge von 1 Gew.-ppm oder weniger und – Metallbestandteile in einer Menge von 5 Gew.-ppb oder weniger.