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Ein durch die vorliegende Erfindung zu lösendes Problem ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines rückwärts sperrenden bipolaren Transistors mit isoliertem Gate zur Ausbildung einer Isolierschicht (4) zum Biegen und Erweitern eines pn-Übergangs, der eine hohe Rückwärtsstehspannung zeigt, zur Vorderflächenseite. Das erfindungsgemäße Verfahren stellt eine hohe Stehspannung in der Rückwärtsrichtung sicher und verringert Leckstrom im rückwärts gepolten Zustand. Das Verfahren der Erfindung umfasst einen Schritt zum Ausbilden einer konischen Nut durch einen anisotropen Alkaliätzvorgang, der so durchgeführt wird, dass ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Dicke von mindestens 60μm zwischen einer Hauptfläche und der Bodenfläche der konischen Nut, die auf der anderen Hauptfläche ausgebildet wird, zurückgelassen wird.
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