Corner-Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Corner-Transistors ist beschrieben. In einem Substrat wird eine Isolationsstruktur gebildet, um einen aktiven Bereich zu definieren. Ein Behandlungsverfahren wird ausgeführt, um dem Substrat in dem aktiven Bereich spitze Ecken an der oberen Kante zu geben. Das Substrat im aktiven Bereich wird mit einer Gate-Dielektrikumsschicht bedeckt. Über der Gate-Dielektrikumsschicht wird ein Gate-Leiter gebildet. Ein Source-Bereich und ein Drain-Bereich werden im Substrat neben dem Gate-Leiter gebildet.