Herstellungsverfahren für SiC-Einkristall vom n-Typ, dadurch erhaltener SiC-Einkristall vomn-Typ und dessen Anwendung(7) E] Antrag auf vorzeitige Bearbeitung oder PrU

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristalls vom n-Typ, umfassend: Zugeben von Gallium und Stickstoff, das ein Donorelement zum Erhalt eines Halbleiters vom n-Typ ist, während des Kristallwachstums eines SiC-Einkristalls derart, dass die in atm-Einheiten dargestellte Menge an Stickstoff größer ist als die in atm-Einheiten dargestellte Menge an Gallium, einen gemäß diesem Herstellungsverfahren erhaltenen SiC-Einkristall vom n-Typ und eine Halbleitervorrichtung, welche den SiC-Einkristall vom n-Typ einschließt.