Herstellungsverfahren für einen SiC-Volumeneinkristall mittels einer thermischen Behandlung und niederohmiges einkristallines SiC-Substrat

摘要

Verfahren zur Herstellung eines SiC-Volumeneinkristalls (2), wobei a) der SiC-Volumeneinkristall (2) bei einer Züchtungstemperatur von bis zu 2200°C mittels eines Sublimationszüchtungsverfahrens hergestellt wird, b) der SiC-Volumeneinkristall (2) nach der Sublimationszüchtung thermisch nachbehandelt wird, wobei er auf eine Nachbehandlungstemperatur, die höher ist als die Züchtungstemperatur, gebracht wird, und c) der SiC-Volumeneinkristall (2) vor der thermischen Nachbehandlung innerhalb eines SiC-Pulvers (19) platziert wird, und während der thermischen Nachbehandlung vollständig von dem SiC-Pulver (19) umgeben ist.