Halbleiterbauelement mit Spannungskompensationsstruktur

摘要

Ein Halbleiterbauelement mit einer Hochspannungskompensationskomponente wird hergestellt, indem in ein mit Dotieratomen vom n-Typ und Dotieratomen vom p-Typ dotiertes epitaxiales Halbleitermaterial ein Graben geätzt und ein erstes Halbleiter- oder Isoliermaterial entlang einer oder mehreren Seitenwänden des Grabens angeordnet wird. Das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial weist eine Dotierstoffdiffusionskonstante auf, die für die Dotieratome vom n-Typ um mindestens den Faktor 2 von der der Dotieratome vom p-Typ abweicht. Ein zweites Halbleitermaterial wird in dem Graben entlang dem ersten Halbleiter- oder Isoliermaterial angeordnet. Das zweite Halbleitermaterial weist eine andere Dotierstoffdiffusionskonstante als das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial auf. Mehr Dotieratome vom n-Typ oder Dotieratome vom p-Typ werden aus dem epitaxialen Halbleitermaterial durch das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial in das zweite Halbleitermaterial diffundiert als die andere Art von Dotieratomen, so dass zwischen dem zweiten Halbleitermaterial und dem epitaxialen Halbleitermaterial eine seitliche Ladungstrennung erfolgt.