发明名称 Semiconductor memory device
摘要 <p>본 발명은 동작 온도에 따라 상이한 독출 및 검증 기준 값을 설정하여 넓은 동작 범위에서 신뢰성을 가지고 동작할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 동작 온도를 감지하여 온도 감지 신호를 생성하는 온도 감지부, 온도 감지 신호에 기초하여 독출 전류 제어 신호 및 검증 전류 제어 신호를 생성하는 전류 제어부, 독출 전류 제어 신호에 응답하여 독출 전류를 생성하는 독출 전류 생성부, 및 검증 전류 제어 신호에 기초하여 검증 전류를 생성하는 검증 전류 생성부를 포함하는 감지/증폭기를 구비한다.</p>
申请公布号 KR101218285(B1) 申请公布日期 2013.01.03
申请号 KR20110001098 申请日期 2011.01.05
申请人 发明人
分类号 G11C7/04;G11C7/10;G11C13/02;G11C29/00 主分类号 G11C7/04
代理机构 代理人
主权项
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