发明名称 主动元件、驱动电路结构以及显示面板
摘要 本发明公开了一种主动元件、驱动电路结构以及显示面板。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一蚀刻终止层、一源极与一漏极。栅极在基板上构成一蜿蜒图案。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上,且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出主动元件所在的元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上,并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开口接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开口接触于半导体层,且源极与漏极彼此分离。
申请公布号 CN102856391A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210324557.1 申请日期 2012.09.04
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 杨朝宇;邱皓麟;曹书玮;黄士哲;叶柏良;林俊男;曾贤楷
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;田景宜
主权项 一种主动元件,配置于一基板的一元件配置区中,其特征在于,该主动元件包括:一栅极,包括多个第一方向部以及多个第二方向部,该些第一方向部与该些第二方向部交替连接而在该基板上构成一蜿蜒图案,其中该些第一方向部彼此平行,该些第二方向部彼此平行,且该些第一方向部的延伸方向相交于该些第二方向部的延伸方向;一栅绝缘层,覆盖该栅极;一半导体层,配置于该栅绝缘层上,且该半导体层位于该栅极上方,且该半导体层的面积实质上定义出该元件配置区;一蚀刻终止层,配置于该栅绝缘层以及该半导体层上,该蚀刻终止层具有暴露出该半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口,该第一接触开口具有平行于该些第一方向部的多个第一指状部以及连接于该些第一指状部且平行于该些第二方向部的至少一第一连接部,该第二接触开口具有平行于该些第一方向部的多个第二指状部以及连接于该些第二指状部且平行于该些第二方向部的至少一第二连接部,其中各个第一指状部与其中一个第二指状部分别位于其中一个第一方向部的两侧;一源极,配置于该蚀刻终止层上并通过该第一接触开口接触于该半导体层;以及一漏极,配置于该蚀刻终止层上并通过该第二接触开口接触于该半导体层,且该源极与该漏极彼此分离。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号