发明名称 具有小尺寸光学黑区的互补金属氧化物半导体图像传感器
摘要 CMOS图像传感器包括多个有源像素行和一光学黑像素行。该光学黑像素行根据至少两个有源像素行每一个的激活而激发产生各自的光学黑信号。这样共用光学黑像素行减小了CMOS图像传感器的光学黑区。
申请公布号 CN1941856B 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN200610136395.3 申请日期 2006.08.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 安正*
分类号 H04N5/361(2011.01)I 主分类号 H04N5/361(2011.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 蒲迈文;黄小临
主权项 一种CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器中以具有行和列的矩形阵列排列了多个有源像素,包括:多个有源像素行,依次被激活以产生各自的图像信号;和一光学黑像素行,通过有源像素行的每一个的激活而被同时激活以产生各自的光学黑信号,其中,在第一时间段期间,激活施加于所述光学黑像素行和所述有源像素行中的第一个有源像素行的第一行选择脉冲,同时产生来自所述光学黑像素的所述各自的光学黑信号和来自所述有源像素行中的第一个有源像素行的所述各自的图像信号,其中,在第一时间段之后的第二时间段期间,激活施加于相同的所述光学黑像素行和所述有源像素行中的第二个有源像素行的第二行选择脉冲,同时产生来自相同的所述光学黑像素的所述各自的光学黑信号和来自所述有源像素行中的第二个有源像素行的所述各自的图像信号,以及其中,属于所述有源像素行的第n个有源像素行的所述光学黑像素行以及所述第一和第二有源像素行是不同的像素行,其中n>3。
地址 韩国京畿道