一种GaN衬底激光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。

主权项

一种GaN衬底激光二极管，包括n‑GaN衬底，在衬底上依次沉积有n型包覆层、n型光导层和有源层，其特征在于，n型包覆层是n‑AlaInbGa1‑a‑bN，其中0≤a，b，a+b≤1；n型光导层为n‑AlcIndGa1‑c‑dN，其中0≤c，d，c+d≤1；有源层是超晶格结构的n‑AleInfGa1‑e‑fN/n‑AIgInhGa1‑g‑hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1。