参考单元电路及使用该电路的可变电阻型非易失性存储装置

摘要

包括：参考单元(201a、b)，具有可变电阻元件，该可变电阻元件根据电信号的施加而在规定的低电阻状态LR与高电阻状态HR之间可逆地发生变化；比较器(204)，比较参考单元(201a、b)的电阻值；脉冲生成电路(202)，生成用于将参考单元(201a、b)设定为LR及HR中的任一方的电信号；以及控制电路(206)，控制以下动作，即将所生成的电信号施加给参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的比较结果对应的一方，之后反复进行向参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的新的比较结果对应的一方施加通过脉冲生成电路(202)生成的新的电信号的动作，之后将参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的最终比较结果对应的一方连接到输出端子(208)上。

主权项

一种参考单元电路，具备：第1参考单元及第2参考单元，利用可变电阻元件而构成，该可变电阻元件根据电信号的施加，在具有第1范围内的电阻值的低电阻状态、与具有第2范围内的电阻值的高电阻状态之间可逆地发生变化，上述第2范围的下限电阻值高于上述第1范围的上限电阻值；比较器，比较上述第1参考单元的电阻值与上述第2参考单元的电阻值；控制电路；施加电路，向上述第1参考单元及上述第2参考单元中的从上述控制电路指示的参考单元施加用于将该参考单元设定为上述低电阻状态及上述高电阻状态中的任一方、即目标状态的电信号；以及输出电路，在输出端子上电连接了上述第1参考单元及上述第2参考单元中的从上述控制电路指示的参考单元，上述控制电路为了使上述第1参考单元的电阻值或上述第2参考单元的电阻值接近作为上述目标状态下的下限电阻值或上限电阻值的目标电阻值，执行1次以上的以下动作：上述第1参考单元及上述第2参考单元中的由上述比较器进行的比较动作；和写入动作，与上述比较器的每一次的比较结果对应地，通过上述施加电路对离上述目标电阻值更远的参考单元施加上述电信号，上述控制电路在上述写入动作之后，执行以下输出动作：在上述第1参考单元及上述第2参考单元中，与上述比较器的比较结果对应地，通过上述输出电路在上述输出端子上电连接与上述目标电阻值更近的参考单元。