| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。 | ||
| 申请公布号 | CN102856383A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201210226910.2 | 申请日期 | 2012.06.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴兴圭;金男奎;宋宇彬;郑秀珍;金永弼;李炳讃;李善佶 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 翟然 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板；第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域，在所述基板上且彼此间隔开；沟道区域，在所述基板上且位于所述第一应力生成外延区域和所述第二应力生成外延区域之间，所述沟道区域是外延层，所述第一应力生成外延区域和所述第二应力生成外延区域向所述沟道区域施加应力；以及栅极电极，在所述沟道区域上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||