| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、源/漏区、栅堆叠结构、层间介质层、接触塞，其中：所述栅堆叠结构形成于所述衬底之上，包括栅介质层以及栅极；所述源/漏区形成于所述衬底之中，且位于所述栅堆叠结构两侧；所述层间介质层覆盖所述源/漏区；所述接触塞包括嵌于所述层间介质层中并与所述源/漏区电连接的第二导电材料，其中在所述层间介质层与所述源/漏区之间存在第一接触层以及在所述接触塞与所述源/漏区之间存在第二接触层；其中所述第一接触层包括CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合。利于降低接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN202651088U | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201190000060.3 | 申请日期 | 2011.02.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、源/漏区(110)、栅堆叠结构、层间介质层(300)、接触塞(320)，其特征在于：所述栅堆叠结构形成于所述衬底(100)之上，包括栅介质层(270)以及栅极(280)；所述源/漏区(110)形成于所述衬底(100)之中，且位于所述栅堆叠结构两侧；所述层间介质层(300)覆盖所述源/漏区(110)；所述接触塞(320)包括嵌于所述层间介质层(300)中并与所述源/漏区(110)电连接的第二导电材料，其特征在于：在所述层间介质层(300)与所述源/漏区(110)之间存在第一接触层(111)；以及在所述接触塞(320)与所述源/漏区(110)之间存在第二接触层(112)；其中：所述第一接触层(111)包括CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2‑y中的一种。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||