一种电容式微型硅麦克风及其制备方法

摘要

本发明涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其包括基板；所述基板的中心区淀积有振膜；基板对应于设置基板的表面还淀积有绝缘材料层；所述绝缘材料层覆盖在基板与振膜的表面，且与振膜间形成空腔；绝缘材料层与振膜相对应的内壁上设置固定连接的背极板，所述背极板与振膜形成电容结构；绝缘材料层与振膜相对应的外壁上设置若干声孔，所述声孔与绝缘材料层、振膜形成的腔体相连通；基板对应于设置振膜的下部设置声腔，所述声腔的深度从基板对应于设置振膜另一端表面延伸到振膜。本发明制造成本低、成品率高、工艺操作简单及满足小尺寸的要求。

主权项

一种电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：(a)、提供基板(1)，并在基板(1)的表面上设置纹膜槽(2)；(b)、在所述基板(1)对应于设置纹膜槽(2)的表面淀积振膜(5)；(c)、选择性的掩蔽和刻蚀振膜(5)，得到基板(1)中心区的振膜(5)；(d)、在上述基板(1)对应于设置振膜(5)的表面上淀积牺牲层(6)，所述牺牲层(6)覆盖基板(1)及振膜(5)相对应的表面；(e)、选择性的掩蔽和刻蚀牺牲层(6)，得到基板(1)中心区的牺牲层(6)，并在振膜(5)的一端形成金属注入孔(14)，所述金属注入孔(14)从牺牲层(6)的表面延伸到振膜(5)；(f)、在牺牲层(6)的表面及金属注入孔(14)内均淀积金属，在牺牲层(6)的表面上形成背极板(8)，所述背极板(8)位于振膜(5)的上方；所述振膜(5)对应于设置金属注入孔(14)的表面形成振膜电极(7)；(g)、在基板(1)对应于设置牺牲层(6)的表面上淀积绝缘材料，形成绝缘材料层(9)，所述绝缘材料层(9)包覆基板(1)、牺牲层(6)、背极板(8)及振膜电极(7)的表面；(h)、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘材料层(9)，去除振膜电极(7)上的绝缘材料层(9)，在所述背极板(8)上得到背极板电极与声孔(10)，所述声孔(10)从绝缘材料层(9)的表面延伸到牺牲层(6)；(i)、选择性的掩蔽和刻蚀基板(1)对应于淀积振膜(5)的另一表面，在基板(1)对应于淀积振膜(5)的另一端形成声腔(11)，所述声腔(11)位于振膜(5)的下方；声腔(11)的深度从基板(1)对应于设置振膜(5)的另一端表面延伸到振膜(5)；(j)、刻蚀牺牲层(6)，去除绝缘材料层(9)包围的牺牲层(6)。