半导体处理用成膜方法和装置

摘要

在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。

主权项

一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜，所述成膜方法具有反复向所述处理区域供给所述第一处理气体、所述第二处理气体、所述第三处理气体的处理气体供给工序，在所述处理气体供给工序中，供给所述第三处理气体的期间，包括将所述第三处理气体在由激发机构激发而等离子体化的状态下供给至所述处理区域的激发期间。