半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法和装置

摘要

本发明实施例提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法和装置，该方法包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。通过本发明实施例提供的方法和装置能够对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并且能够自动发现发生异常的性能参数。

主权项

一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法，其特征在于，包括：从实时系统中定期更新晶圆性能参数的测量数据至分析数据库中；根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息；所述实时系统中还包括与晶圆性能参数的测量数据对应的机台标识数据，更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中包括：将晶圆性能参数的测量数据及其对应的机台标识数据一并更新至分析数据库中。