一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法

摘要

本发明属于固态照明领域，特别是一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法，具体方法是把均匀分散的氧化硅纳米球溶液滴在经洁净处理蓝宝石衬底上，使用匀胶机把氧化硅纳米球均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面；以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石衬底进行ICP刻蚀处理，刻蚀分二步，先用BCl3气体刻蚀出纳米图形化衬底图形深度，再用BCl3、Cl2、Ar气体刻蚀出纳米图形化衬底图形宽度；刻蚀完成将蓝宝石衬底取出，经腐蚀、清洗干净后，烘干待用。本发明可以有效地降低LED芯片中的位错密度，避免裂纹的产生，提高外延材料的晶体质量和均匀性，增加了LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，进而能提高LED芯片的发光效率。

主权项

一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法，其特征在于：将蓝宝石衬底经洁净处理；制作均匀分散的氧化硅纳米球；把氧化硅纳米球溶液滴在蓝宝石衬底上；使用匀胶机把氧化硅均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面；以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石衬底进行ICP刻蚀，刻蚀分两部进行，先用BCl3气体刻蚀出纳米图形化衬底图形深度，再用BCl3、Cl2、Ar气体刻蚀出纳米图形化衬底图形宽度；把刻蚀完成蓝宝石衬底取出，经腐蚀后清洗干净，烘干待用。