制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。根据该方法，首先在衬底的第一面上形成孔。然后，在孔的内壁形成隔离层，并在孔中填充半导体材料，诸如多晶硅、锗、锗硅等。接下来，在衬底的第一面上形成诸如MOS管之类的功能结构。然后从衬底的与第一面相对的第二面对衬底进行减薄以露出孔中的半导体材料，并去除孔中的半导体材料，以形成贯穿衬底的通孔。在该通孔中填充导电材料，得到最终的贯穿衬底通路(TSV)，以便于不同芯片之间的电连接。本发明的方法通过用半导体材料作为在TSV中填充金属之前的TSV替代材料，可以更好地与标准工艺流程相兼容。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的第一面上形成孔；在所述孔的内壁形成隔离层；在所述孔中填充半导体材料；在衬底的第一面上形成功能结构；从衬底的与第一面相对的第二面对衬底进行减薄以露出所述孔中的半导体材料；去除所述半导体材料，以形成贯穿衬底的通孔；以及在所述通孔中填充导电材料。