高电子迁移率晶体管

摘要

本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有高电子迁移率晶体管栅漏电流较大的问题，提供了一种高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。本发明的有益效果是，提高器件的性能，适用于高电子迁移率晶体管。

主权项

高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。