发明名称 用于反应性离子蚀刻的装置和方法
摘要 本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1),包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7),等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22),并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构,钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8);供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流;腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界;气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6);气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。
申请公布号 CN102859647A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201180021337.5 申请日期 2011.02.25
申请人 荷兰应用自然科学研究组织TNO 发明人 弗雷迪·罗泽博姆;阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特;保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特;N·B·科斯特;何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳德斯;阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人 武晨燕;张颖玲
主权项 一种用于对衬底进行反应性离子蚀刻的装置,包括注入器头部,所述注入器头部包括:等离子体蚀刻区域,其包括蚀刻气体供应设备并且布置有用于激发等离子体的等离子体产生结构,并且所述等离子蚀刻区域进一步包括电极结构,所述电极结构被布置成用于将所述蚀刻等离子体朝向衬底部分进行加速,以使离子撞击在所述衬底的表面上;钝化区域,其包括提供有钝化气体供应设备的腔;该供应设备被布置成用于从该供应设备向所述腔提供钝化气流;所述腔在使用中由所述注入器头部和所述衬底的表面界定;以及气体排出结构,其包括布置在所述蚀刻区域和所述钝化区域之间的气体排放部;所述气体排出结构因此形成所述蚀刻区域和所述钝化区域的空间分界。
地址 荷兰代尔夫特