发明名称 |
半导体发光元件 |
摘要 |
本发明公开一种半导体发光元件,其包括一基板、一外延层以及一干涉薄膜。基板具有相对的第一表面以及第二表面。外延层配置于第一表面上。干涉薄膜配置于第二表面上。干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多数层第一材质的薄膜以及多数层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成。干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带。此至少一频通带允许一特定波长的入射光穿透,例如是中心波长介于532±10nm或1064±10nm之间的入射光,且反射率小于40%。本发明通过该基板上形成有干涉薄膜,可调变不同波段的穿透率及反射率,以使特定波长范围的激光光穿透此干涉薄膜,而不会被反射回去。 |
申请公布号 |
CN102856463A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201110225154.7 |
申请日期 |
2011.08.08 |
申请人 |
隆达电子股份有限公司 |
发明人 |
傅思维 |
分类号 |
H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/46(2010.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种半导体发光元件,包括:基板,具有相对的第一表面以及第二表面;外延层,配置于该第一表面上;以及干涉薄膜,配置于该第二表面上,该干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成,该干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带,允许一特定波长的入射光穿透。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |