| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成分别位于第一区域的栅极结构及位于第二区域的栅极结构；形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙覆盖第一区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面，所述第二侧墙覆盖第二区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面；图案化刻蚀所述第二侧墙及衬底，在所述第二侧墙两侧的衬底内形成开口，并在所述开口内形成外延层；其中，在形成所述外延层前，还包括对所述第一侧墙进行氧离子处理工艺，以提高所述第一侧墙的密度。本发明通过氧离子处理工艺提高第一侧墙的密度，进而提高在同衬底上形成外延层时NMOS和PMOS的工艺选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN102856259A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110183347.0 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底表面形成分别位于第一区域的栅极结构及位于第二区域的栅极结构；形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙覆盖第一区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面，所述第二侧墙覆盖第二区域的衬底表面、栅极结构两侧及表面；图案化刻蚀所述第二侧墙及衬底，在所述第二侧墙两侧的衬底内形成开口，并在所述开口内形成外延层；在形成所述外延层前，还包括对所述第一侧墙进行氧离子处理工艺，以提高所述第一侧墙的密度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||