发明名称 |
功率半导体模块 |
摘要 |
本发明提供功率半导体模块,其能够减少成为电磁故障等的原因的电压振动的产生。在多个绝缘基板(20、20’)中的各个绝缘基板上搭载的IGBT等半导体开关元件(50、50’)的各主电极(52、52’)通过导体部件(45)电连接。由此,可以抑制由于半导体开关元件的接合电容和寄生电感而导致的共振电压的产生。 |
申请公布号 |
CN102856308A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210219367.3 |
申请日期 |
2012.06.28 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
东克典;安田健太郎;藤田孝博;斋藤克明;小池义彦;日吉道明 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;郭凤麟 |
主权项 |
一种功率半导体模块,其具备:第一绝缘基板;第二绝缘基板;搭载在所述第一绝缘基板上,具备第一主电极和第二主电极的第一半导体开关元件;搭载在所述第二绝缘基板上,具备第三主电极和第四主电极的第二半导体开关元件;与所述第一主电极电连接的第一主端子;与所述第二主电极电连接的第二主端子;与所述第三主电极电连接的第三主端子;以及与所述第四主电极电连接的第四主端子,所述功率半导体模块的特征在于,具有将所述第一主电极和所述第三主电极电连接的至少一个导体部件。 |
地址 |
日本东京都 |