发明名称 METHOD FOR DEPOSITING TUNGSTEN LAYERS USING SEQUENTIAL FLOW DEPOSITION
摘要 <p>본 발명은 SFD(sequential flow deposition)를 사용하여 양호한 표면 형태를 가지는 금속층을 성막하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 처리 챔버 내의 기판을 금속 카르보닐 전구체 가스와 환원 가스에 번갈아 노출시키는 것을 포함한다. 금속 카르보닐 전구체 가스에 노출되는 동안, 열 분해에 의해 상기 기판에 얇은 금속층이 성막되고, 후속해서 상기 금속층을 상기 환원 가스에 노출시키는 것은, 상기 금속층으로부터 반응 부산물을 제거하는 것을 돕는다. 원하는 두께의 금속층이 얻어질 때까지 상기 금속 카르보닐 전구체 및 환원 가스에 노출시키는 단계는 반복될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 카르보닐 전구체는 W(CO), Ni(CO), Mo(CO), Co(CO), Rh(CO), Re(CO), Cr(CO), Ru(CO)로부터 선택될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101217980(B1) 申请公布日期 2013.01.02
申请号 KR20117028190 申请日期 2004.09.07
申请人 发明人
分类号 C23C16/16;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/20;H01L21/285 主分类号 C23C16/16
代理机构 代理人
主权项
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