发明名称 具有双写入驱动器的相变存储器
摘要 一种具有双写入驱动器的相变存储器(PCM)。PCM设备包括:存储阵列,其具有位线,所述位线具有第一端和第二端,所述第一端和第二端用于存取耦合到所述位线的、在所述位线的所述第一端和所述第二端之间的PCM单元;第一写入驱动器和第二写入驱动器,它们分别耦合到所述位线的所述第一端和所述位线的所述第二端,用于当向所述PCM单元写入时同时向所述PCM单元供应电流;以及,感测放大器,其耦合到所述位线的所述第二端,用于当从所述PCM单元读取时感测所述PCM单元的电阻。本发明的实施例提供了具有降低的写入电流要求的设备、方法和系统。
申请公布号 CN102859602A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201180019148.4 申请日期 2011.03.30
申请人 莫塞德技术公司 发明人 潘弘柏
分类号 G11C13/00(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种设备,所述设备包括:存储阵列,其包括位线,所述位线具有第一端和第二端,所述第一端和第二端用于存取耦合到所述位线的、在所述位线的所述第一端和所述第二端之间的相变存储器(PCM)单元;以及第一写入驱动器和第二写入驱动器,它们分别耦合到所述位线的所述第一端和所述位线的所述第二端,用于在向所述PCM单元写入期间同时向所述PCM单元供应电流。
地址 加拿大安大略省
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