发明名称 一种碳化硅微粉的制备方法
摘要 本发明提供了一种碳化硅微粉的制备方法,该方法包括以下步骤:S1粉碎;S2分级;S3磁选除铁;S4电场、重力场法除硅与二氧化硅,将碳化硅微粉用去离子水混合,形成混合浆料,然后将混合浆料从电解槽的阴极区域注入装有缓冲溶液的电槽中,缓冲溶液的pH为3-8,加上一恒定电场,硅粉与二氧化硅微粉会沉降在阳极区域,而碳化硅会沉积在阴极区域,沉降分离完成后,排干缓冲液,取出阴极区域的碳化硅;S5脱水;S6烘干。本发明的方法不需用到化学酸、碱洗,对环境无任何危害,单批碳化硅微粉的生产周期比传统工艺少24小时以上,大大节约了碳化硅微粉的生产时间。
申请公布号 CN102849737A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201110177071.5 申请日期 2011.06.28
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 陈帆;王忠利;于红卫
分类号 C01B31/36(2006.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种碳化硅微粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1 粉碎将碳化硅放置于雷蒙磨中进行粉碎;S2 分级采用分级机将经过雷蒙磨粉碎的碳化硅进行分级;S3 磁选除铁将分级处理后的碳化硅用磁选机除去其中所混入的金属杂质;S4 电场、重力场法除硅与二氧化硅将碳化硅微粉用去离子水混合,形成混合浆料,然后将混合浆料从电解槽的阴极区域注入装有缓冲溶液的电槽中,缓冲溶液的pH为3‑8,加上一恒定电场,硅粉与二氧化硅微粉会沉降在阳极区域,而碳化硅会沉积在阴极区域,沉降分离完成后,排干缓冲液,取出阴极区域的碳化硅;S5 脱水将步骤S4获得的碳化硅进行脱水;S6 烘干将脱水后的碳化硅进行烘干即得到成品碳化硅。
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