发明名称 | 具有读出放大器的半导体存储设备及其数据读出方法 | ||
摘要 | 一种半导体存储设备包括:存储单元阵列,包括沿行和列排列的存储单元;行解码器,选择多行中的一行并且激活所选择的行;位线读出放大器,检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据;数据总线读出放大器,检测并放大从位线读出放大器中输出的数据;和控制逻辑块,在读操作中启动所述位线和数据总线读出放大器,在预定时间段中以半锁存类型模式操作该数据总线读出放大器,以及在该预定时间段之后以全锁存类型模式操作该数据总线读出放大器。 | ||
申请公布号 | CN101256825B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
申请号 | CN200810092001.8 | 申请日期 | 2008.01.08 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 韩公钦 |
分类号 | G11C7/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 一种半导体存储设备,包括:存储单元阵列,包括沿行和列排列的存储单元;行解码器,选择多行中的一行并且激活所选择的行;位线读出放大器,检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据;数据总线读出放大器,检测并放大从位线读出放大器中输出的数据;和控制逻辑块,在读操作中启动所述位线和数据总线读出放大器,在预定时间段中以根据输出数据选择性地放大输出数据的半锁存类型模式操作该数据总线读出放大器,以及在该预定时间段之后以完整地放大所述输出数据的全锁存类型模式操作该数据总线读出放大器。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |