以二(8-羟基喹啉)合铂作为掺杂材料制备的OLED器件

摘要

以二(8-羟基喹啉)合铂作为掺杂材料制备的OLED器件，以氧化铟锡（ITO）作为透明导电膜玻璃（阳极）；N,N’-二（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）作为空穴传输材料；4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）掺杂二(8-羟基喹啉)合铂（Ptq2）作为主体材料；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）作为空穴阻挡材料；8-羟基喹啉铝（Alq3）作为电子传输材料；铝/氟化锂作为阴极。本发明的Ptq2作为磷光材料掺杂在主体材料中制作的OLED，最大电致发光波长在近红外区域（700~850nm），具有优良的导电性和稳定性。

主权项

以二(8‑羟基喹啉)合铂作为掺杂材料制备的OLED器件，其特征在于：以氧化铟锡（ITO）作为透明导电膜玻璃（阳极）；N,N’‑二（1‑萘基）‑N,N’‑二苯基‑1,1’‑联苯‑4,4’‑二胺（NPB）作为空穴传输材料；4,4'‑二(9‑咔唑)联苯（CBP）掺杂二(8‑羟基喹啉)合铂（Ptq2）作为主体材料；2,9‑二甲基‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲啰啉（BCP）作为空穴阻挡材料；8‑羟基喹啉铝（Alq3）作为电子传输材料；铝/氟化锂作为阴极。