一种低介电常数介质表面去羟基化的方法

摘要

本发明属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使之替代为无极性的三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团，可以降低低介电常数介质的介电常数，使得整个电路的RC延迟下降。本发明所提出的低介电常数介质表面的去羟基化工艺与传统互连工艺之间具有很高的兼容性，并且可以使得互连当中的低介电常数介质不易吸水，延长芯片的使用寿命。

主权项

一种低介电常数介质表面去羟基化的方法，其特征在于，包括：用含有三甲基硅基基团的有机物对低介电常数介质表面进行处理,通过化学反应将低介电常数介质表面的羟基基团用三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团替代。