一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

摘要

本发明公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化硅层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化硅层；刻蚀第二氮化硅层；在非MOM区域的上方沉积第二低K值介质层；光刻第一氮化硅层，形成第一金属槽，并且减薄第一氮化硅层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一氮化硅层表面沉积氧化硅层，并且刻蚀水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；刻蚀第二低K值介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。

主权项

一种金属‑多层绝缘体‑金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：  提供一衬底；  在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属‑氧化物‑金属制作区域和非金属‑氧化物‑金属制作区域；  采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氮化硅层，所述氮化硅层包括金属‑氧化物‑金属区域的第一氮化硅层和非金属‑氧化物‑金属区域的第二氮化硅层；  刻蚀去除所述第二氮化硅层；  在所述非金属‑氧化物‑金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层；  在所述第一氮化硅层上进行光刻图案化工艺，在所述第一氮化硅层中形成第一金属槽，并且对所述第一氮化硅层进行刻蚀，在水平方向上减薄所述第一氮化硅层；  采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一氮化硅层表面沉积一层氧化硅层，并且刻蚀所述氧化硅层去除水平方向上的氧化硅，形成氧化硅‑氮化硅‑氧化硅结构；  刻蚀所述第二低介电常数介质层，形成第二金属槽；  向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。