| 发明名称 | 氮化物半导体晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体晶体管，该氮化物半导体晶体管具备：异质结层(124)，其层叠了极化互不相同的多个氮化物半导体层；和栅电极(113)，其形成在异质结层(124)之上。在异质结层与栅电极之间形成有具有p型的导电性、并使空穴电流流过且抑制电子电流的电子电流抑制层(125)。 | ||
| 申请公布号 | CN102859669A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201080066447.9 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 泷泽俊幸;上田哲三 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体晶体管，具备：异质结层，其层叠了极化互不相同的2个以上的氮化物半导体层；栅电极，其形成在所述异质结层之上；和电子电流抑制层，其形成在所述异质结层与所述栅电极之间，并具有p型的导电性，使空穴电流流过且抑制电子电流。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||