| 发明名称 | 化合物半导体发光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102859725A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201180019633.1 | 申请日期 | 2011.02.18 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 谷本佳美;园田孝德;池田英明 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在所述半导体层的与所述基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行所述一次退火的步骤与进行所述二次退火的步骤之间，将所述导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||