发明名称 | 集成电子传感器 | ||
摘要 | 一种集成传感器及其制造所述器件的方法,该器件包括在半导体衬底中的MOS电路,具有互连导体和绝缘电介质的互连级,所述级在衬底上并互连MOS电路,互连级包含具有嵌入互连电介质中的电极的传感器,以及MOS电路包括用于处理来自传感器电极的信号的处理器。 | ||
申请公布号 | CN102854229A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
申请号 | CN201210288945.9 | 申请日期 | 2005.03.30 |
申请人 | 硅实验室公司 | 发明人 | 蒂莫西·卡明斯 |
分类号 | G01N27/22(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/22(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
主权项 | 一种集成传感器器件,包括:在半导体衬底中的MOS电路,传感器,包括用于使被检测的气体或者湿气进入的传感器多孔材料,以及传感器电极;各自具有互连导体和绝缘电介质的互连级,所述互连级在该衬底上并对所述MOS电路进行互连,所述传感器电极嵌入互连电介质中并且被形成作为所述互连级中的顶部互连级的互连导体的完整部分,其中传感器是电容性传感器,其中传感器电极是电容性电极,并且其中所述MOS电路包括用于处理来自该传感器电极的信号的电路。 | ||
地址 | 美国德克萨斯州 |