固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子设备

摘要

本发明涉及固体摄像装置及其制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括光电转换部和形成在半导体基板上的传输栅极电极，所述光电转换部包括：在深度方向上从所述半导体基板的表面侧形成的电荷存储区域；由以与所述传输栅极电极部分重叠的方式形成的第二导电型杂质区域形成的传输辅助区域；和暗电流抑制区域，所述暗电流抑制区域是形成在所述传输辅助区域的上层中的第一暗电流抑制区域，并且所述第一暗电流抑制区域被形成为以所述传输栅极电极侧的端部与所述传输辅助区域的端部处于相同位置的方式位置对齐。所述电子设备包括光学透镜、上述固体摄像装置和信号处理电路。根据本发明，能够在抑制暗电流生成的同时提高传输效率，改善了图像质量。

主权项

一种固体摄像装置，所述固体摄像装置包括传输栅极电极和光电转换部，所述传输栅极电极形成在半导体基板上；所述光电转换部包括：电荷存储区域，所述电荷存储区域在深度方向上是从所述半导体基板的表面侧形成的，所述电荷存储区域由第一导电型杂质区域形成，所述第一导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，传输辅助区域，所述传输辅助区域由第二导电型杂质区域形成，所述第二导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，并且所述传输辅助区域被形成在所述电荷存储区域的上层中，以及暗电流抑制区域，所述暗电流抑制区域是形成在所述传输辅助区域的上层中的第一暗电流抑制区域，并且所述第一暗电流抑制区域被形成为以如下方式位置对齐：所述第一暗电流抑制区域在所述传输栅极电极侧的端部与所述传输辅助区域的位于所述传输栅极电极侧的端部处于相同位置，所述暗电流抑制区域是由与所述传输辅助区域相同导电型的杂质区域形成的，并且所述暗电流抑制区域是由浓度高于所述传输辅助区域的浓度的杂质区域形成的。