发明名称 对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法
摘要 本发明是有关于一种对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法,包括以下步骤:提供一晶圆;判定在该晶圆一表面的一特征的一厚度分布;以及在判定该厚度分布的步骤后,利用一研磨配方对该特征进行一高速化学机械研磨工艺以实质达到该特征的一晶圆内厚度均匀性,其中该研磨配方是根据该厚度分布来决定。本发明在化学机械研磨工艺之后有所改善晶圆内均匀性及晶圆至晶圆均匀性,并且适应时间独立的工艺状况的工艺控制。
申请公布号 CN101722469B 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN200910142926.3 申请日期 2009.05.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李胜男;林映眉;郑育真;许强;林焕哲
分类号 B24B37/04(2012.01)I;B24B37/013(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/04(2012.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:提供一晶圆;判定在该晶圆一表面的一特征的一厚度分布;在判定该厚度分布的步骤后,利用一研磨配方对该特征进行一高速化学机械研磨工艺以达到该特征的一晶圆内厚度均匀性,其中该研磨配方包括施于晶圆不同区的理想压力及高速化学机械研磨工艺的理想研磨时间,且该研磨配方是根据该厚度分布来决定,所述的高速化学机械研磨工艺的步骤包含进行一分区化学机械研磨工艺,对该晶圆的不同区施以不同压力;以及在进行所述的高速化学机械研磨工艺的步骤后,进行一低速化学机械研磨工艺,其中该低速化学机械研磨工艺未分区,且该低速化学机械研磨工艺是利用一端点侦测来进行,且其中该低速化学机械研磨工艺在该特征的一预定目标厚度达到时停止。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号