具有低导通电阻的MOS器件

摘要

金属氧化物半导体(MOS)器件包括：漏极区，环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成环的栅极区，布置在所述栅极区周围的多个源极区，其中每个源极区位于所述漏极区对应侧的对面，以及布置在所述栅极区周围的多个体区，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。

主权项

一种金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：漏极区；栅极区，所述栅极区环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成闭环；多个源极区，所述多个源极区布置在所述栅极区周围，其中每个源极区位于所述漏极区的对应侧的对面；以及多个体区，所述多个体区布置在所述栅极区周围，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离，其中第一源极区与第一体区和第二体区相邻；其中第二源极区与第三体区和第四体区相邻；其中第三源极区与所述第三体区相邻；以及其中第四源极区与所述第四体区相邻，并且其中所述第二源极区与所述第三源极区和所述第四源极区相邻；以及其中所述第一源极区不与所述第二源极区、第三源极区和第四源极区中的任何一个相邻。