半导体结构的制造方法与半导体元件

摘要

本发明是有关于一种半导体结构的制造方法与半导体元件。该半导体结构的制造方法，包含：提供一硅基材，该硅基材具有一基材表面，且至少一元件结构设置在该基材表面的一第一部分上，一材料层设置在该基材表面的一第二部分上；从该基材表面上移除该材料层，以使该第二部分成为一暴露基材表面部分、以及使该第一部分成为由该元件结构所覆盖的一覆盖基材表面部分；藉由进行多个溴基蚀刻制造工艺，来蚀刻该硅基材，其中该些溴基蚀刻制造工艺选择性蚀刻硅，且包含一第一溴基蚀刻步骤与一第二溴基蚀刻步骤，仅该第一溴基蚀刻步骤包含氮气作为蚀刻气体；以及在该蚀刻步骤后，利用包含氟与氯的一蚀刻化学物，进一步蚀刻该硅基材。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于包含：提供一硅基材，该硅基材具有一基材表面，且至少一元件结构设置在该基材表面的一第一部分上，一材料层设置在该基材表面的一第二部分上；从该基材表面上移除该材料层，以使该基材表面的该第二部分成为一暴露基材表面部分、以及使该基材表面的该第一部分成为由该元件结构所覆盖的一覆盖基材表面部分；藉由进行多个溴基蚀刻制造工艺，来蚀刻该硅基材，其中所述溴基蚀刻制造工艺选择性蚀刻硅，且包含一第一溴基蚀刻步骤与一第二溴基蚀刻步骤，该第一溴基蚀刻步骤包含氮气作为蚀刻气体，该第二溴基蚀刻步骤并未包含氮气作为蚀刻气体；以及在该蚀刻步骤后，利用包含氟与氯的一蚀刻化学物，进一步蚀刻该硅基材。