| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。 | ||
| 申请公布号 | CN202651118U | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201190000066.0 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，所述半导体衬底和半导体鳍片之间包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面； 所述半导体衬底为{112}Si衬底。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||