| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供形成有PMOS晶体管的半导体晶片，所述PMOS晶体管具有嵌入式锗硅层的源/漏结构；对所述半导体晶片执行至少两行程的激光热退火工艺，且每一行程的激光热退火工艺中的处理温度为1100℃至1200℃。相对于现有技术，本发明能够松弛所述锗硅层，增加其延展性，相应降低应力，使得半导体晶片获得低翘曲度的效果，提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102122616B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201010022581.0 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;陈勇;刘佑铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有PMOS晶体管的半导体晶片，所述PMOS晶体管具有嵌入式锗硅层的源/漏结构；对所述半导体晶片执行至少两行程的激光热退火工艺，且每一行程的激光热退火工艺中的处理温度为1100℃至1200℃；所述行程是指激光光束对半导体晶片全部扫描一遍的过程。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||