半导体装置及其应用

摘要

本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括硅基材、形成于硅基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于其至少包括：一硅基材；一第一磊晶半导体层，位在该硅基材上，且具有一第一型掺质及一第一掺质浓度；一第二磊晶半导体层，位在该第一磊晶半导体层上，且具有该第一型掺质及一第二掺质浓度，其中该第二掺质浓度低于该第一掺质浓度；一第三磊晶半导体层，位在该第二磊晶半导体层上，且具有该第一型掺质及一第三掺质浓度，其中该第三掺质浓度低于该第二掺质浓度；以及一感光组件与一金属氧化半导体晶体管，形成于该第三磊晶半导体层上，其中该感光组件具有一固定层。