封装工艺及封装结构

摘要

本发明涉及一种封装工艺及封装结构。该封装工艺如下所述。首先，提供承载板，承载板上配置有粘着层。接着，将多个第一半导体元件配置于粘着层上。然后，在承载板上形成第一封装胶体，第一封装胶体覆盖第一半导体元件的侧壁并填满第一半导体元件之间的间隙，以使第一半导体元件与第一封装胶体形成芯片阵列板。之后，将多个第二半导体元件分别倒装接合至第一半导体元件上。接着，在芯片阵列板上形成第二封装胶体，第二封装胶体至少覆盖第二半导体元件的侧壁并填满第二半导体元件之间的间隙。然后，分离芯片阵列板与粘着层。之后，沿着第二半导体元件之间的间隙切割第二封装胶体与第一封装胶体。

主权项

一种封装工艺，包括：提供承载板，该承载板上配置有粘着层；将多个第一半导体元件配置于该粘着层上，且该多个第一半导体元件彼此分离并分别透过该粘着层固定于该承载板上，其中各该第一半导体元件具有多个直通硅晶穿孔结构；在该承载板上形成第一封装胶体，该第一封装胶体覆盖该多个第一半导体元件的侧壁并填满该多个第一半导体元件之间的间隙，以使该多个第一半导体元件与该第一封装胶体形成芯片阵列板；在形成该芯片阵列板之后，研磨该芯片阵列板，以薄化该芯片阵列板并露出各该第一半导体元件的该多个直通硅晶穿孔结构的端面；将多个第二半导体元件分别倒装接合至该芯片阵列板之该多个第一半导体元件上，以使各该第二半导体元件的多个导电凸块与对应的各该第一半导体元件的该多个直通硅晶穿孔结构的该端面接合，其中该第二半导体元件于该承载板上的投影面积大于该第一半导体元件于该承载板上的投影面积；在该芯片阵列板上形成第二封装胶体，该第二封装胶体至少覆盖该多个第二半导体元件的侧壁并填满该多个第二半导体元件之间的间隙；分离该芯片阵列板与该粘着层；以及沿着该多个第二半导体元件之间的间隙切割该第二封装胶体与该第一封装胶体，以形成多个芯片封装单元。